实验室学术委员会主任，首席专家郝跃教授
   郝跃教授，中国科学院院士，微电子学专家，安徽省阜阳人，微电子学与固体电子学博士生导师。1958年3月生于重庆市，1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位。九三学社第十四届中央委员会常委和九三学社陕西省委主委、中国电子学会副理事长、国际IEEE学会高级会员。
他是国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)"核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品"科技重大专项实施专家组组长、国务院第七届学科评议组(电子科学与技术一级学科)召集人、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、高等院校电子信息类专业教学指导委员会主任委员、教育部科技委委员、国家重大基础研究计划(973计划)项目首席科学家、陕西省科学技术协会副主席、微电子技术领域的著名专家。他是第九、第十、第十三届全国政协委员和第十一届全国人大代表。2013年11月当选中国科学院院士。
郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
主要研究方向：
    1.宽禁带和超宽禁带半导体材料与器件
    2. 微纳半导体新器件及其可靠性
    3. SoC设计与设计方法学
教学与科研成果：
    成果获得国家技术发明奖二等1项（2009年），国家科技进步奖二等2项（2008年、2015年），国家科技进步奖三等1项（1998年）；国家级教学成果一等奖1项（2018年）和国家级教学成果二等奖1项（2014年）；获得国家发明专利授权近百项；出版《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》、《碳化硅宽带隙半导体技术》、《集成电路制造动力学理论与方法》和《微纳米CMOS器件可靠性与失效机理》、《NITRIDE WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ELECTRONIC DEVICES》等多部著作，在国内外著名期刊上发表学术论文500余篇；2010年荣获“何梁何利”科学技术奖。